事件驱动:6月20日,国家存储器基地项目二期在武汉东湖高新区未来科技城国家存储器基地建设工地开工建设。
国家存储器基地项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设,计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂。
国家存储器基地项目是紫光集团旗下的长江存储实施的,所以也称之为长江存储。
逻辑盘点:
1、这意味着国产存储器核心项目——长江存储将从技术突破阶段,正式进入产能释放阶段。
2、5G驱动技术革新+国产替代加速,推动国产存储器高景气。同时,国产存储器产能的释放,将进一步带动上游设备、材料,以及下游封测需求的增长。
3、虽然受疫情影响,国内一季度存储器出货量短期出现下滑,但是由于国内经济率先重启修复,国内存储器市场也将率先回暖。IDC预测,中国存储市场在2020年全年仍将保持正增长。
4、从技术来看:
1)长江存储的64层NAND存储器芯片已经量产并即将商用;
2)长江存储直接跳过了96层技术,直接发展128层技术,并且已经成功突破,快的话将于明年上半年量产。
故而整体来看,消费电子景气度的回暖,叠加长江存储技术的突破驱动国产存储器替代加速,国产存储器需求将持续增长。
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